渦巻いた1000-1750NM LED
フルスペクトルのデコードの習得: 200–2000nm超広帯域LEDパッケージエンジニアリング
全領域にわたって正確なスペクトルマッチングを実現 紫外線 (紫外線), 見える (VIS), および短波赤外線 (SWIR) スペクトルは第 3 世代の太陽光発電試験における重要な障壁です, 航空宇宙材料の劣化解析, および高度な多接合太陽電池研究.
専用として B2B LED オプトエレクトロニクスパッケージングメーカー, 従来の必要性を排除します, 信頼性の低い電球光源. 独自のマイクロチップ統合により, 私たちは純粋なものをお届けします 200nm～2000nmの広帯域チップオンボード (COB) コンポーネント システムインテグレーターやシミュレータービルダー向けに特別に設計された高度なパッケージングアーキテクチャ.
コアのパッケージング & 基板エンジニアリング
- 高度な AlN セラミックパッケージング: 高熱伝導率の窒化アルミニウムを採用 (AlN) 金錫と組み合わせた基板 (AuSn) 共晶結合. これにより接合部の熱抵抗が最小限に抑えられます (\(R_{番目}\)), 熱スペクトルの赤方偏移を大幅に軽減し、照射中に強度の安定性を維持します。 1,000+ 1時間の連続信頼性試験.
- 高密度多波長ダイマトリックス: ワイドバンドギャップ GaN に至るまでの個別半導体材料の精密ダイボンディング (紫外線) およびInGaN (VIS) ナローバンドギャップInGaAs/InPへ (SWIR) ダイ—単一のコンパクトな設置面積内に密に詰め込まれ、一次光学段階の前に最高の光学混合を保証します。.
- カスタム一次マイクロ光学部品: 壊れやすい UV ダイを保護し、最適化された近接場ビーム整形を保証するために、特殊な高透過率のシリコンまたは石英材料を使用して設計された、カスタマイズされたドーム整形またはフラットなカプセル化層.
スペクトル範囲の内訳 & 適用対象
| 波長帯域 | 半導体ダイ技術 | 一次PV / 研究対象 |
|---|---|---|
| 200nm～400nm (UV-A/B/C) | AlGaN / GaNエピ層 | AM0宇宙シミュレーション, 紫外線による劣化, 光による劣化 (蓋) テスト. |
| 400nm～700nm (見える) | InGaN / GaAlInP 高効率ダイ | AM1.5G 標準太陽光スペクトル複製によるベースライン量子効率 (量的緩和). |
| 700nm～1100nm (近赤外線) | GaAs / InGaAsフォトニック構造 | ペロブスカイトシリコンタンデムセルと単接合結晶シリコンバンドギャップターゲティング. |
| 1100nm～2000nm (SWIR) | InGaAsP / InGaAs 格子整合ダイ | 多接合の低バンドギャップサブセル (コンセントレーター) PV と IR センサーの応答プロファイリング. |
カスタム設計のための技術力
- マルチチャネルのアドレス指定可能な構成: 独立したアノード/カソード トレースを最大で配線可能 42 モジュールごとのチャネル, エンドユーザーが特定のスペクトルゾーンを動的に調整できるようにする.
- クラスAAAコンプライアンス対応: コンポーネントレベルの空間分布と最小のチップ間間隔により、狭い空間的不均一性を必要とするシミュレータへの容易な統合が容易になります。 (\(<\pm2\%\)).
正確な見積書またはプロトタイプの梱包レイアウトの準備を支援するため, お知らせください:
- 具体的には何ですか ダイレベルのビニング境界または主波長 200～2000nmの範囲内?
- あなたの好みは何ですか 電気フットプリントまたはモジュールの寸法 (例えば, 特定の COB マトリックスの寸法, チャンネルごとの最大駆動電流)?
私たちが提供できるのは ダイレイアウトの概略図, レイトレーシング シミュレーション データ, または予備データシート 技術仕様に基づいて.
