Material do núcleo do chip LED infravermelho de ondas curtas SWIR LED 1000-2500nm

Os materiais do chip SWIR LED pertencem principalmente a Semicondutores compostos III-V.

Dependendo do comprimento de onda alvo (normalmente variando de 1050nm a 2500nm), os materiais mais comumente usados incluem:

InGaAs (Arseneto de índio e gálio): O material mais popular para SWIR. Ajustando a proporção de índio para gálio, pode cobrir a maior parte do espectro infravermelho de ondas curtas (por exemplo, 1050nm-1700nm).
InP (Fosfeto de índio): Frequentemente usado como substrato para crescimento epitaxial ou para estruturas flip-chip de alto desempenho.
GaAs (Arsenieto de gálio): Frequentemente usado para comprimentos de onda mais curtos perto da borda NIR ou como camada fundamental em estruturas epitaxiais.
GáSb (Antimonida de Gálio): Utilizado quando a aplicação requer comprimentos de onda mais longos, normalmente excedendo 2.000 nm.

Esses materiais são escolhidos porque lacuna de banda corresponde especificamente à energia dos fótons SWIR, enquanto o silício tradicional (E) é transparente e ineficaz nesta faixa.