LED vorticoso da 1000-1750nm
I materiali dei chip LED SWIR appartengono principalmente a Semiconduttori composti III-V.
A seconda della lunghezza d'onda target (tipicamente compreso tra 1050 nm e 2500 nm), i materiali più comunemente usati includono:
- InGaAs (Arseniuro di indio e gallio): Il materiale più mainstream per SWIR. Regolando il rapporto tra Indio e Gallio, può coprire la maggior parte dello spettro infrarosso a onde corte (per esempio., 1050nm–1700 nm).
- InP (Fosfuro di indio): Utilizzato frequentemente come substrato per la crescita epitassiale o per strutture flip-chip ad alte prestazioni.
- GaAs (Arseniuro di gallio): Spesso utilizzato per lunghezze d'onda più corte vicino al confine NIR o come strato fondamentale nelle strutture epitassiali.
- GaSb (Antimonide di gallio): Utilizzato quando l'applicazione richiede lunghezze d'onda più lunghe, tipicamente superiore a 2000 nm.
Questi materiali sono scelti perché loro banda proibita corrisponde specificamente all'energia dei fotoni SWIR, mentre il tradizionale silicio (E) è trasparente e inefficace in questo intervallo.
