Tourbillonnant 1000-1750 nm
Les matériaux des puces LED SWIR appartiennent principalement à Semi-conducteurs composés III-V.
En fonction de la longueur d'onde cible (allant généralement de 1050 nm à 2500 nm), les matériaux les plus couramment utilisés comprennent:
- InGaAs (Arséniure d'indium et de gallium): Le matériel le plus courant pour SWIR. En ajustant le rapport de l'Indium au Gallium, il peut couvrir la majorité du spectre infrarouge à ondes courtes (par ex., 1050nm–1700 nm).
- InP (Phosphure d'Indium): Fréquemment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale ou pour les structures flip-chips hautes performances.
- GaAs (Arséniure de gallium): Souvent utilisé pour les longueurs d'onde plus courtes près de la frontière NIR ou comme couche fondamentale dans les structures épitaxiales.
- GaSb (Antimoniure de gallium): Utilisé lorsque l'application nécessite des longueurs d'onde plus longues, dépassant généralement 2000 nm.
Ces matériaux sont choisis parce que leur bande interdite correspond spécifiquement à l'énergie des photons SWIR, alors que le silicium traditionnel (Et) est transparent et inefficace dans cette gamme.