Закрученный 1000-1750 нм светодиод
Расшифровка полного спектра мастерства: 200– Разработка сверхширокополосных светодиодных корпусов 2000 нм
Достижение точного спектрального согласования по всему Ультрафиолетовый (УФ), Видимый (ВИС), и коротковолновое инфракрасное излучение (СВИР) спектры являются ключевым барьером в фотоэлектрических испытаниях третьего поколения., анализ деградации аэрокосмических материалов, и передовые исследования многопереходных солнечных элементов.
Как преданный B2B производитель светодиодной оптоэлектронной упаковки, мы устраняем необходимость в традиционных, ненадежные источники лампочек. Благодаря интеграции фирменного микрочипа, мы поставляем чистый 200от нм до 2000 нм широкополосный чип-на-плате (COB) компоненты и передовые архитектуры упаковки, разработанные специально для системных интеграторов и разработчиков симуляторов..
Основная упаковка & Субстратная инженерия
- Усовершенствованная керамическая упаковка AlN: Использование нитрида алюминия с высокой теплопроводностью. (АлН) подложки в паре с золотом-оловом (АуСн) эвтектическое соединение. Это сводит к минимуму термическое сопротивление перехода. (\(Р_{й}\)), радикальное смягчение теплового спектрального красного смещения и поддержание стабильности интенсивности во время 1,000+ непрерывное тестирование надежности в течение часа.
- Многоволновая матрица высокой плотности: Прецизионное соединение дискретных полупроводниковых материалов — от широкозонного GaN (УФ) и ИнГаН (ВИС) к узкозонному InGaAs/InP (СВИР) матрицы — плотно упакованы на одном компактном основании, чтобы обеспечить превосходное оптическое смешивание перед этапом первичной оптики.
- Пользовательская первичная микрооптика: Специальная куполообразная форма или плоские герметизирующие слои, изготовленные из специальных силиконовых или кварцевых материалов с высоким коэффициентом пропускания для защиты хрупких УФ-матриц и обеспечения оптимизированного формирования луча ближнего поля..
Распределение спектрального диапазона & Цель приложения
| Диапазон длин волн | Технология полупроводниковых кристаллов | Первичная фотоэлектрическая система / Цель исследования |
|---|---|---|
| 200нм – 400 нм (УФ-А/Б/С) | АлГаН / Эпислой GaN | Космическое моделирование AM0, УФ-деградация, и светоиндуцированная деградация (КРЫШКА) тестирование. |
| 400нм – 700 нм (Видимый) | ИнГаН / Высокоэффективные матрицы GaAlInP | Стандартная репликация солнечного спектра AM1.5G для базовой квантовой эффективности (количественное смягчение). |
| 700нм – 1100 нм (НИР) | GaAs / Фотонные структуры InGaAs | Тандемные ячейки перовскит-кремний и однопереходное нацеливание запрещенной зоны кристаллического кремния. |
| 1100нм – 2000 нм (СВИР) | InGaAsP / InGaAs Согласованные кристаллы | Субъячейки с низкой запрещенной зоной в многопереходе (концентратор) Профилирование реакции фотоэлектрических и ИК-датчиков. |
Технические возможности для индивидуального дизайна
- Многоканальные адресные конфигурации: Возможность маршрутизации независимых анодных/катодных дорожек до 42 каналов на модуль, позволяя конечным пользователям динамически модулировать определенные спектральные зоны.
- Соответствие классу AAA готово: Пространственное распределение на уровне компонентов и минимальное расстояние между чипами облегчают интеграцию в симуляторы, требующие узкой пространственной неоднородности. (\(<\pm2\%\)).
Чтобы помочь нам подготовить точное коммерческое предложение или прототип макета упаковки., пожалуйста, дайте нам знать:
- Каковы ваши конкретные границы объединения на уровне кристалла или доминирующие длины волн в диапазоне 200–2000 нм?
- Что вы предпочитаете электрическая площадь или размер модуля (например, конкретные размеры матрицы COB, максимальный ток возбуждения на канал)?
Мы можем предоставить схемы компоновки штампа, данные моделирования трассировки лучей, или предварительные технические данные исходя из ваших технических характеристик.
