LED-ul învolburat 1000-1750nm
Decodificarea spectrului complet de măiestrie: 200–2000nm Ingineria pachetelor LED cu bandă ultra-largă
Realizarea unei potriviri spectrale precise pe tot Ultraviolet (UV), Vizibil (VIS), și infraroșu cu unde scurte (SWIR) spectrul de frecvențe este o barieră cheie în testarea fotovoltaică de a treia generație, analiza degradării materialelor aerospațiale, și cercetare avansată a celulelor solare cu mai multe joncțiuni.
Ca dedicat Producător de ambalaje optoelectronice LED B2B, eliminăm nevoia de tradițional, surse de becuri nesigure. Prin integrarea micro-cipului proprietar, livrăm pur 200Chip-on-board de bandă largă de nm până la 2000 nm (ŞTIULETE) componente și arhitecturi avansate de ambalare concepute special pentru integratori de sisteme și constructori de simulatoare.
Ambalaj de bază & Ingineria substratului
- Ambalaj avansat din ceramică AlN: Folosind nitrură de aluminiu de înaltă conductivitate termică (AlN) substraturi asociate cu aur-staniu (AuSn) legătură eutectică. Acest lucru minimizează rezistența termică a joncțiunii (\(R_{th}\)), atenuând drastic deplasarea spectrală termică către roșu și menținând stabilitatea intensității în timpul 1,000+ oră de testare continuă a fiabilității.
- Matrice de matriță cu mai multe lungimi de undă de înaltă densitate: Lipirea cu matriță de precizie a materialelor semiconductoare discrete - de la Wide-Bandgap GaN (UV) și InGaN (VIS) la InGaAs/InP cu bandgap îngustă (SWIR) matrițe - strâns ambalate într-o singură amprentă compactă pentru a asigura o amestecare optică supremă înainte de etapa optică primară.
- Micro-optică primară personalizată: Modelarea domului personalizată sau straturi de încapsulare plate, concepute cu materiale specializate din silicon de înaltă transmisie sau cuarț pentru a proteja matrițele UV fragile și pentru a asigura modelarea optimizată a fasciculului în câmp apropiat.
Defalcarea intervalului spectral & Ținta aplicației
| Banda de lungime de unda | Tehnologia matrițelor semiconductoare | PV primar / Țintă de cercetare |
|---|---|---|
| 200nm - 400 nm (UV-A/B/C) | AlGaN / Epistraturi GaN | Simulare spațială AM0, Degradarea UV, și Degradarea indusă de lumină (CAPAC) testarea. |
| 400nm - 700 nm (Vizibil) | InGaN / Matrice de înaltă eficacitate GaAlInP | Replicarea spectrului solar standard AM1.5G pentru eficiența cuantică de bază (QE). |
| 700nm - 1100nm (NIR) | GaAs / Structuri fotonice InGaAs | Celule tandem perovskit-siliciu și direcționare bandgap de siliciu cristalin cu o singură joncțiune. |
| 1100nm - 2000nm (SWIR) | InGaAsP / Matrice InGaAs Lattice-Matched | Sub-celule cu bandgap scăzută în multi-joncțiune (concentrator) Profilarea răspunsului senzorilor PV și IR. |
Capacități tehnice pentru design personalizat
- Configurații adresabile cu mai multe canale: Capabil să direcționeze urme independente anod/catod până la 42 canale pe modul, permițând utilizatorilor finali să moduleze dinamic zone spectrale specifice.
- Pregătit pentru conformitate cu clasa AAA: Distribuția spațială la nivel de componentă și distanța minimă între cip la cip facilitează integrarea fără efort în simulatoare care necesită neuniformitate spațială îngustă (\(<\pm2\%\)).
Pentru a ne ajuta să vă pregătim cotația exactă sau aspectul ambalajului prototip, te rog sa ne anunti:
- Care sunt specificul tău limitele de separare la nivel de matriță sau lungimile de undă dominante în intervalul 200-2000 nm?
- Care este preferatul tău amprenta electrică sau dimensiunea modulului (de ex., dimensiuni specifice ale matricei COB, curent de conducere maxim pe canal)?
Putem oferi schema de aranjare a matrițelor, date de simulare cu trasarea razelor, sau fișe de date preliminare pe baza specificațiilor dumneavoastră tehnice.
