소용돌이 1000-1750nm LED
풀 스펙트럼 마스터리 디코딩: 200–2000nm 초광대역 LED 패키지 엔지니어링
전체에 걸쳐 정확한 스펙트럼 매칭 달성 자외선 (자외선), 보이는 (VIS), 및 단파 적외선 (SWIR) 스펙트럼은 3세대 광전지 테스트의 주요 장벽입니다., 항공우주 재료 열화 분석, 첨단 다중접합 태양전지 연구.
전담자로 B2B LED 광전자 패키징 제조업체, 우리는 전통적인 방식의 필요성을 제거합니다., 신뢰할 수 없는 전구 소스. 독점적인 마이크로칩 통합을 통해, 우리는 순수하게 배달합니다 200nm~2000nm 광대역 칩 온 보드 (옥수수 속) 구성 요소 시스템 통합업체 및 시뮬레이터 구축업체를 위해 특별히 설계된 고급 패키징 아키텍처.
핵심 포장 & 기판공학
- 고급 AlN 세라믹 패키징: 높은 열전도율의 질화알루미늄을 활용 (AlN) 금-주석과 결합된 기판 (AuSn) 공융 결합. 이는 접합 열 저항을 최소화합니다. (\(아르 자형_{일}\)), 열 스펙트럼 적색편이를 대폭 완화하고 강도 안정성을 유지합니다. 1,000+ 시간 연속 신뢰성 테스트.
- 고밀도 다중 파장 다이 매트릭스: Wide-Bandgap GaN에 이르는 개별 반도체 재료의 정밀 다이본딩 (자외선) 그리고 InGaN (VIS) 좁은 밴드갭 InGaAs/InP (SWIR) 다이—1차 광학 스테이지 이전에 최고의 광학 혼합을 보장하기 위해 단일 소형 설치 공간 내에 촘촘하게 포장되어 있습니다..
- 맞춤형 1차 마이크로광학: 취약한 UV 다이를 보호하고 최적화된 근거리 빔 성형을 보장하기 위해 특수 고투과율 실리콘 또는 석영 재료로 설계된 맞춤형 돔 성형 또는 평면 캡슐화 레이어.
스펙트럼 범위 분석 & 적용 대상
| 파장 대역 | 반도체 다이 기술 | 1차 PV / 연구대상 |
|---|---|---|
| 200나노 - 400nm (UV-A/B/C) | AlGaN / GaN 에필레이어 | AM0 공간 시뮬레이션, 자외선 분해, 및 광에 의한 열화 (뚜껑) 테스트. |
| 400나노 - 700nm (보이는) | 인가엔 / GaAlInP 고효율 다이 | 기준선 양자 효율을 위한 AM1.5G 표준 태양광 스펙트럼 복제 (QE). |
| 700나노 - 1100nm (근적외선) | GaAs / InGaAs 광자 구조 | 페로브스카이트-실리콘 탠덤 셀 및 단일 접합 결정질 실리콘 밴드갭 타겟팅. |
| 1100나노 - 2000nm (SWIR) | InGaAsP / InGaAs 격자 정합 다이 | 다중 접합의 낮은 밴드갭 하위 셀 (집중 장치) PV 및 IR 센서 응답 프로파일링. |
맞춤형 디자인을 위한 기술적 역량
- 다중 채널 주소 지정 가능 구성: 독립적인 양극/음극 트레이스까지 라우팅 가능 42 모듈당 채널, 최종 사용자가 특정 스펙트럼 영역을 동적으로 변조할 수 있도록 지원.
- 클래스 AAA 규정 준수 준비: 구성 요소 수준의 공간 분포 및 최소 칩 간 간격을 통해 좁은 공간 불균일성을 요구하는 시뮬레이터에 쉽게 통합할 수 있습니다. (\(<\pm2\%\)).
정확한 견적이나 프로토타입 포장 레이아웃을 준비하는 데 도움이 됩니다., 우리에게 알려주세요:
- 당신의 구체적인 내용은 무엇입니까? 다이 레벨 비닝 경계 또는 주요 파장 200~2000nm 범위 내?
- 당신이 선호하는 것은 무엇입니까 전기적 설치 공간 또는 모듈 치수 (예를 들어, 특정 COB 매트릭스 크기, 채널당 최대 구동 전류)?
우리는 제공할 수 있습니다 다이 레이아웃 회로도, 광선 추적 시뮬레이션 데이터, 또는 예비 데이터 시트 기술 사양을 기반으로.
