Закрученный 1000-1750 нм светодиод
На основе фосфида индия (ИнП) подложка или система материалов InP, основные эпитаксиальные слои, квантовые ямы, и омические контактные слои коротковолнового инфракрасного излучения (СВИР) Светодиоды в основном состоят из следующих полупроводниковых материалов..
Вот Китайские имена и Английские имена (с химическими формулами) перечислены отдельно:
- Фосфид индия (ИнП): Используется в качестве нативного субстрата для выращивания.. Его постоянная решетки служит основой для выращивания соответствующих эпитаксиальных слоев..
- Арсенид индия-галлия (InGaAs): Основной актив (светоизлучающий) слой квантовой ямы. Изменение соотношения In/Ga позволяет настраивать длины волн от 1000 нм до 1900 нм
- Индий-галлий-арсенид-фосфид (InGaAsP): Обычно используется для барьерных слоев., облицовочные слои, или волноводные структуры для точной настройки запрещенной зоны.
- Арсенид индия-алюминия (ИнАлАс): Используется в качестве широкозонного оболочного слоя или слоя блокировки электронов. (ЭБЛ) для подавления утечки носителей и повышения эффективности.
- Индий Алюминий Галлий Арсенид (InAlGaAs): Четвертичное соединение, используемое в современных мощных структурах для гибкой инженерии запрещенной зоны в квантовых ямах и барьерах..
- Арсенид галлия (GaAs): Иногда используется в сильнолегированных крышках или контактных слоях для уменьшения омического контактного сопротивления с металлическими электродами..
