Cluster mit mehreren Wellenlängen# Vollspektrum-LED# Hochleistungs-LED mit 200–1900 nm

: hehualan@chyingfeng.com : 0755-81707311 |

ProduktwissenNachricht

1100nm vs. 1300 nm SWIR-LED für die Siliziumwafer-Inspektion: Welche Wellenlänge sollten Ingenieure wählen??

Es ist einfach so, dass dieses Phänomen bei der Inspektion von Silizium auftritt (Und) und Galliumarsenid (GaAs) – zwei der wichtigsten Materialien in der Leiterplatte (Leiterplatte) und integrierte Schaltung (IC) Produktionsindustrie.

SWIR-LED Wellenlängen haben ab ca. eine hohe Durchlässigkeit durch Silizium 1050 nm. Aufgrund dieser Entdeckung und der offensichtlichen Fähigkeit, durch siliziumbasierte Materie hindurchzuschauen, wurden hochpräzise Defektinspektionssysteme entwickelt.

Ein leistungsstarkes Tool zur Erkennung vieler verschiedener Arten von Fehlern, SWIR-LEDs und mikroskopische Bildgebung ermöglichen eine ordnungsgemäße Analyse, um die Ursache zu finden. Viele Stromkreisausfälle können auf einen unterbrochenen oder offenen Stromkreis zurückgeführt werden. Die Ursachen für solche Ausfälle sind so vielfältig wie metallische Verunreinigungen im Untergrund, elektrische Überlastung (EOS), oder falsch ausgerichtete Maskierung während des Fotolithographieprozesses.

Während viele Defekte den geschichteten IC sofort unbrauchbar machen können, andere werden möglicherweise erst einmal in den Händen des Endbenutzers sichtbar. Die Fähigkeit, diese Probleme zu finden und zu identifizieren, kann Probleme im Produktionsprozess aufdecken. Dadurch können schwerwiegende finanzielle Verluste und Produktionsausfälle für Hersteller vermieden werden, sowie die Vermeidung des Rückrufs potenziell aller Geräte, die während des Zeitraums hergestellt wurden, in dem der Mangel auftrat.

Ingenieure’ Leitfaden zur Kernauswahl (Technische Zusammenfassung zur Indizierung)

Wichtige Bewertungsmetriken1100nm SWIR-LED1300nm SWIR-LED
Eindringtiefe des SiliziumwafersTeilweise Penetration (Kritisches Transparenzband)Volle Durchdringung (Hohes Transmissionsband)
Kompatibilität mit BildsensorenHochauflösendes CMOS (Kostengünstig, hohe Pixeldichte)InGaAs-Kameras (Höhere Kosten, hochinfrarotempfindlich)
KernanwendungsszenarienFlache Mikrorisse, Defekte an der Oberfläche von Solarzellen, und LückenAusrichtung des Wafer-Bondings, tiefe Risse im Untergrund, und Markierung auf der Rückseite
LED-LichtausbeuteHöher (Minimale Verschlechterung der Lichtleistung)Untere (Erfordert einen höheren Antriebsstrom oder größere Arrays)

10%

aus, besonders für dich  - Produktwissen - 1

Melden Sie sich an, um Ihren exklusiven Rabatt zu erhalten, und bleiben Sie über unsere neuesten Produkte auf dem Laufenden & Angebote!

Wir spammen nicht! Lesen Sie unsere [Verknüpfung]Datenschutzrichtlinie[/Verknüpfung] Für mehr Information.

Vorher:

Nächste:

Hinterlassen Sie eine Antwort

4 + 1 =
Angetrieben von MathCaptcha

Ein Angebot bekommen ?

    − 4 = 1